本屆國(guó)際先進(jìn)光刻技術(shù)研討會(huì)被IEEE收錄

　　會(huì)議投稿論文將送檢IEEE Xplore與EI

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　　摘要提交截止日期: 2021.07.01

　　摘要接收通知日期: 2021.07.21

　　全文稿件截止日期: 2021.09.30

　　報(bào) 名 入 口

　　官網(wǎng)報(bào)名鏈接：

　　https://www.iwaps.org/cn/index/10

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　　論 文 征 集

　　IWAPS致力于發(fā)表前沿的微電子制造技術(shù)研究成果。會(huì)議主題涵蓋先進(jìn)半導(dǎo)體制造領(lǐng)域中從早期的理論和實(shí)驗(yàn)，到工業(yè)化大規(guī)模量產(chǎn)的應(yīng)用等內(nèi)容。包括但不局限于:

　　- 光刻

　　- 極紫外光刻

　　- 新型技術(shù)

　　- 量測(cè)及缺陷檢測(cè)

　　- 設(shè)計(jì)工藝聯(lián)合優(yōu)化與可制造性設(shè)計(jì)

　　- 材料

　　- 器件

　　- 工藝

　　會(huì)議投稿請(qǐng)?zhí)峤恢拎]箱：

　　iwaps_program@ime.ac.cn

　　摘 要 要 求

　　摘要必須清楚地描述論文的性質(zhì)、研究主題、研究?jī)?nèi)容、組織結(jié)構(gòu)、要點(diǎn)以及研究意義。且用英文撰寫。

　　摘要必須包括以下內(nèi)容：論文標(biāo)題、關(guān)鍵詞、作者的姓名、所屬單位、郵件地址和通訊地址。摘要的字?jǐn)?shù)不應(yīng)超過(guò)500個(gè)單詞。對(duì)研究?jī)?nèi)容的細(xì)節(jié)的描述將增加稿件被接收的可能。同時(shí)，我們建議在提交的摘要中使用圖表。

　　論文摘要模板下載地址：

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　　在截止日期之后提交的摘要將根據(jù)具體情況進(jìn)行審議。

　　報(bào) 告 要 求

　　口頭報(bào)告

　　被選作進(jìn)行口頭報(bào)告的作者，應(yīng)當(dāng)參加2021年的IWAPS 會(huì)議并用英文進(jìn)行15分鐘與論文相關(guān)的技術(shù)報(bào)告。演講者應(yīng)當(dāng)預(yù)先提供其會(huì)議報(bào)告的PPT。

　　海報(bào)展示

　　被選作進(jìn)行海報(bào)展示的作者，可于展示當(dāng)日上午9點(diǎn)起張貼海報(bào)。展板上將印有按序排列的論文編號(hào)，請(qǐng)按論文編號(hào)將海報(bào)張貼在相應(yīng)位置。會(huì)場(chǎng)將提供圖釘用于海報(bào)張貼。

　　會(huì) 議 介 紹

　　近年來(lái)，中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，基于這樣的形勢(shì)，國(guó)際先進(jìn)光刻技術(shù)研討會(huì)(International Workshop on Advanced Patterning Solutions，IWAPS)應(yīng)運(yùn)而生。IWAPS為來(lái)自國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體工業(yè)界、學(xué)術(shù)界的資深技術(shù)專家和優(yōu)秀研究人員等提供了一個(gè)技術(shù)交流平臺(tái)，參會(huì)者可以就材料、設(shè)備、工藝、測(cè)量、計(jì)算光刻和設(shè)計(jì)優(yōu)化等主題分享各自的研究成果，探討圖形化解決方案，研討即將面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)。

　　本屆國(guó)際先進(jìn)光刻技術(shù)研討會(huì)已被IEEE收錄，會(huì)議全文將送檢IEEE Xplore與EI。